表面处理方法、由碳化硅形成的部件和等离子体处理装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201210391650.4
IPC分类号：H01L21/04;H01J37/32
申请日期：
2010-07-09
申请人：
东京毅力科创株式会社

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著录项信息

专利名称	表面处理方法、由碳化硅形成的部件和等离子体处理装置
申请号	CN201210391650.4	申请日期	2010-07-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-02-13	公开/公告号	CN102931056A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;4;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人	东京毅力科创株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东京毅力科创株式会社	当前权利人	东京毅力科创株式会社
发明人	佐藤直行;长山将之;长久保启一
代理机构	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人	龙淳

摘要

本发明提供表面处理方法、由碳化硅形成的部件和等离子体处理装置。该表面处理方法是表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的表面处理方法，其特征在于，具有：准备表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的工序；在氧等离子体中加热上述破碎层，使部件表面的碳化硅进行SiOxCy化的工序；和对进行了上述SiOxCy化的部件表面进行氢氟酸处理将其溶析而除去的工序，通过将由上述破碎层构成的部件表面改性为致密层，使在将上述部件应用于等离子体处理装置时从上述部件表面释放出的粒子数减少。

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