一种低温制备氧化钨纳米线/多孔硅复合结构材料的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310497567.X
IPC分类号：B81C1/00;B82Y40/00
申请日期：
2013-10-21
申请人：
天津大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种低温制备氧化钨纳米线/多孔硅复合结构材料的方法
申请号	CN201310497567.X	申请日期	2013-10-21
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-03-12	公开/公告号	CN103626117A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	胡明;马双云;崔珍珍;李明达;曾鹏;武雅乔;闫文君
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	张宏祥

摘要

本发明公开了一种低温（700℃）制备氧化钨纳米线/多孔硅复合结构材料的方法：首先采用p型单晶硅作为基底，利用双槽电化学的方法在基底表面制备多孔硅层；然后，金属钨作为耙材，利用磁控溅射的方法在多孔硅表面沉积金属钨薄膜，制备出钨薄膜与多孔硅复合结构；最后，在700℃条件下，在水平管式炉中，通入保护气体氩气，利用热退火钨薄膜的方法，得到氧化钨纳米线与多孔硅复合结构。本发明的制备工艺简单，能源消耗较小，对设备要求低，可操作性好，有效降低了纳米复合结构材料的生产成本，具有重要的价值和研究意义。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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