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4,4′-ODL-MIP/PANI的制备及测试方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910058505.6
  • IPC分类号:G01N27/416;G01N27/30
  • 申请日期:
    2019-01-22
  • 申请人:
    西安工程大学
著录项信息
专利名称4,4′-ODL-MIP/PANI的制备及测试方法
申请号CN201910058505.6申请日期2019-01-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-05-24公开/公告号CN109799278A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N27/416IPC分类号G;0;1;N;2;7;/;4;1;6;;;G;0;1;N;2;7;/;3;0查看分类表>
申请人西安工程大学申请人地址
陕西省西安市金花南路19号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安工程大学当前权利人西安工程大学
发明人马明明;楚楚
代理机构西安弘理专利事务所代理人暂无
摘要
本发明公开了一种4,4'‑ODL‑MIP/PANI的制备方法,包括制备G‑PEC电极;在G‑PEC电极表面制备4,4'‑ODL‑MIP‑G‑PEC印迹聚合物薄膜电极;在4,4'‑ODL‑MIP‑G‑PEC印迹聚合物薄膜电极上聚合PANI,得到4,4’‑ODL‑MIP/PANI。本发明还公开了一种计算制得的4,4'‑ODL‑MIP/PANI的荷电量值和电化学阻抗性能的测试方法。本发明采用电化学方法在G‑PEC表面形成掺杂聚苯胺的印迹聚合物表面层,即44,4’‑ODL‑MIP/PANI,作为新型纳米材料,其具有比表面积大、重量轻、成本低、化学稳定性好、电阻率小、导电性能好等优点。

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