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半导体存储器件的电压供应电路

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011240392.0
  • IPC分类号:G11C11/4074
  • 申请日期:
    2020-11-09
  • 申请人:
    爱思开海力士有限公司
著录项信息
专利名称半导体存储器件的电压供应电路
申请号CN202011240392.0申请日期2020-11-09
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-23公开/公告号CN113689906A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C11/4074IPC分类号G;1;1;C;1;1;/;4;0;7;4查看分类表>
申请人爱思开海力士有限公司申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人爱思开海力士有限公司当前权利人爱思开海力士有限公司
发明人任钟满
代理机构北京弘权知识产权代理有限公司代理人许伟群;阮爱青
摘要
本公开提供一种半导体存储器件的电压供应电路。半导体存储器件包括:公共驱动器,其适于根据第一节点处的电压来产生初步驱动信号;以及多个单独驱动器,其适于根据初步驱动信号,向多个单元区块中对应的一个单元区块的感测放大电路提供核心电压,其中,多个单独驱动器中的每个包括:电平转换电路,其适于在对应的区块选择信号和上拉驱动信号被激活时,通过转换初步驱动信号的电平来输出主驱动信号;上拉驱动器,其适于根据主驱动信号而用核心电压来驱动上拉电源线;以及开关,其适于在对应的区块选择信号和上拉驱动信号被激活时,将第一节点耦接到上拉电源线。

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