在具有翘曲控制增强件的大载体上同时制造多晶圆的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201880089260.7
IPC分类号：H01L21/00;H01L23/00
申请日期：
2018-03-23
申请人：
迪德鲁科技(BVI)有限公司

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专利名称	在具有翘曲控制增强件的大载体上同时制造多晶圆的方法
申请号	CN201880089260.7	申请日期	2018-03-23
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-27	公开/公告号	CN112005338A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人	迪德鲁科技(BVI)有限公司	申请人地址	四川省成都市高新区尚阳路12号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	成都奕斯伟系统技术有限公司	当前权利人	成都奕斯伟系统技术有限公司
发明人	沈明皓;周小甜
代理机构	北京辰权知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括将多个半导体基板和框架构件粘附到载体基板的支撑表面上。所述半导体基板可以是能够切割或切成多个管芯的晶圆。由此，每个晶圆具有各自的有源表面和至少一个各自的集成电路区域。所述方法可以进一步包括将所述框架构件和所述多个半导体基板密封在密封剂中。随后，移除所述载体基板，并且在所述半导体基板和所述框架构件上形成再分布层(RDL)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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