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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体发光器件及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200880120918.2
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2008-12-15
  • 申请人:
    皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
著录项信息
专利名称半导体发光器件及其制作方法
申请号CN200880120918.2申请日期2008-12-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-11-24公开/公告号CN101897048A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司申请人地址
荷兰艾恩德霍芬 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人皇家飞利浦电子股份有限公司,飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司当前权利人皇家飞利浦电子股份有限公司,飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
发明人R·I·奥尔达兹;J·E·埃普勒;P·N·格利洛特;M·R·克拉梅斯
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人谢建云;刘鹏
摘要
AlGaInP发光器件被形成为薄的倒装芯片器件。该器件包含半导体结构,该半导体结构包含布置在n型区域(22)和p型区域(26)之间的AlGaInP发光层(24)。电连接到n和p型区域的n和p接触(34,32)均形成于半导体结构的同一侧上。半导体结构经由接触连接到载具(40)。生长衬底从半导体结构移除且厚透明衬底被略去,使得器件中半导体层的总厚度在一些实施例中小于15μm,在一些实施例中小于10μm。半导体结构的顶侧可被纹理化。

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