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氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510128773.9
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L21/28;H01S5/00
  • 申请日期:
    1994-04-28
  • 申请人:
    日亚化学工业株式会社
著录项信息
专利名称氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
申请号CN200510128773.9申请日期1994-04-28
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-10-11公开/公告号CN1845346
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;S;5;/;0;0查看分类表>
申请人日亚化学工业株式会社申请人地址
日本德岛 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人日亚化学工业株式会社当前权利人日亚化学工业株式会社
发明人中村修二;山田孝夫;妹尾雅之;山田元量;板东完治
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人王永刚
摘要
本发明提供了一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件的制造方法,该半导体器件具有形成在具有第一和第二主表面的衬底的第一主表面之上、含有n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构,其中,所述制造方法包括下列步骤:形成所述半导体叠层结构的步骤;第二电极材料形成步骤,用于在所述p型半导体层上形成包含从铬、镍、金、钛、铂构成的一组材料中选出的至少两种材料的电极材料;以及热处理退火步骤,通过对所述第二电极材料和所述半导体叠层结构进行热处理,降低第二电极的接触电阻。

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