一种基于石墨烯多孔膜的离子浓差极化芯片及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710171940.0
IPC分类号：G01N30/96;C02F1/44;B01D63/00;B01D69/12;B01D67/00;C02F103/08
申请日期：
2017-03-22
申请人：
厦门大学

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专利名称	一种基于石墨烯多孔膜的离子浓差极化芯片及其制备方法
申请号	CN201710171940.0	申请日期	2017-03-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-07-07	公开/公告号	CN106927541A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N30/96 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N30/48 （转入B01J 20/281至B01J 20/292） G01N30/96 利用离子交换（G01N 30/02，G01N 30/90优先）〔4〕	IPC分类号	G;0;1;N;3;0;/;9;6;;;C;0;2;F;1;/;4;4;;;B;0;1;D;6;3;/;0;0;;;B;0;1;D;6;9;/;1;2;;;B;0;1;D;6;7;/;0;0;;;C;0;2;F;1;0;3;/;0;8查看分类表>
申请人	厦门大学	申请人地址	福建省厦门市思明南路422号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门大学	当前权利人	厦门大学
发明人	李鑫;何翔;肖代琴;黄海宁;陈宏
代理机构	厦门南强之路专利事务所（普通合伙）	代理人	马应森

摘要

一种基于石墨烯多孔膜的离子浓差极化芯片及其制备方法，涉及离子浓差极化芯片。芯片包括玻璃底座、PDMS基片、缓冲溶液的进出水口、第1PDMS基片中的石墨烯基多孔膜；第1PDMS基片带有Y形凹槽，第2PDMS基片带有I形凹槽。制备方法：配制石墨烯基前驱体浆料；制作芯片；将石墨烯基前驱体浆料涂抹在Y通道的切口处，固化后即得芯片。价格低，工艺简单，容易制取；石墨烯类材料自身属于弱酸，对器件的危害低；石墨烯类材料电导率调控方便，易于进行表面官能团与电荷调控，可与大量材料进行复合实现复合薄膜与器件的制备。较于Nafion基的芯片，石墨烯基的芯片能形成更稳定、范围更大的耗尽区。

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