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一种具有双埋氧层的晶体管结构及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911214247.2
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2019-12-02
  • 申请人:
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
著录项信息
专利名称一种具有双埋氧层的晶体管结构及其制备方法
申请号CN201911214247.2申请日期2019-12-02
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-03-17公开/公告号CN110890418A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请人地址
上海市长宁区长宁路865号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所当前权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人吕凯;董业民
代理机构上海智信专利代理有限公司代理人邓琪
摘要
本发明提供一种具有双埋氧层的晶体管结构及其制备方法,自上而下依次包括:顶层硅层,有源区,浅沟槽隔离区,有源区包括:位于顶层硅层上方的栅极、栅介质层,位于顶层硅层横向两端的源极和漏极;第一埋氧层;第二硅层;第二埋氧层;衬底硅层;还包括:依次贯穿浅沟槽隔离区、第一埋氧层的通孔,该通孔通过粒子注入或者掺杂,在第二硅层与通孔的界面处形成欧姆接触区;依次贯穿浅沟槽隔离区、第一埋氧层以及第二硅层形成的深沟槽隔离区;以及在衬底硅层与第二埋氧层的界面处形成的缺陷层。根据本发明提供的晶体管结构能够实现较低的衬底损耗和谐波噪声,使得器件在恶劣情况下实现较高的射频特性,与数字电路、模拟电路实现集成。

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