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RFLDMOS器件的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010210606.3
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/423
  • 申请日期:
    2020-03-24
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称RFLDMOS器件的制作方法
申请号CN202010210606.3申请日期2020-03-24
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-07-03公开/公告号CN111370312A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人李隽朗;遇寒;黄景丰
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人罗雅文
摘要
本申请公开了一种RFLDMOS器件的制作方法,涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上形成多晶硅层;根据第一掩膜版定义的图形刻蚀多晶硅层,形成多晶硅栅和辅助栅,若干个辅助栅排列在间距大于预定距离的两个相邻的多晶硅栅之间;根据第二掩膜版定义的图形刻蚀去除辅助栅;在衬底内形成漂移区和体区;在漂移区内形成漏区,在体区内形成源区;解决了RFLDMOS器件的栅极侧壁形貌稳定性不高的问题;达到了提高RFLDMOS器件的栅极侧壁形貌的稳定性,保证沟道浓度,提高阈值电压稳定性的效果。

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