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表面等离激元诱导的电子发射源

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011183250.5
  • IPC分类号:H01J1/34;H01J37/26;H01J37/28;H01J40/06
  • 申请日期:
    2020-10-29
  • 申请人:
    清华大学
著录项信息
专利名称表面等离激元诱导的电子发射源
申请号CN202011183250.5申请日期2020-10-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2021-02-26公开/公告号CN112420466A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J1/34IPC分类号H;0;1;J;1;/;3;4;;;H;0;1;J;3;7;/;2;6;;;H;0;1;J;3;7;/;2;8;;;H;0;1;J;4;0;/;0;6查看分类表>
申请人清华大学申请人地址
北京市海淀区双清路30号清华大学 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学当前权利人清华大学
发明人刘仿;王哲宣;黄翊东;崔开宇;冯雪;张巍
代理机构北京路浩知识产权代理有限公司代理人杨云云
摘要
本发明实施例提供一种表面等离激元诱导的电子发射源,包括:泵浦源发出光与金属牛眼光栅相互作用产生表面等离激元近场,通过中心小孔到达光阴极材料层,与光阴极材料相互作用产生电子,电子收集器收集所述电子,金属牛眼光栅的周期与表面等离激元的波矢满足:金属牛眼光栅的周期与表面等离激元的波矢之积为2π的整数倍;光阴极材料层为预设特殊材料,以使得表面等离激元近场照射到光阴极材料上,产生光致电子发射现象。本发明实施例基于光致电子发射原理和表面等离激元结合的高分辨率电子源,降低电子束的能散,提高了亮度。

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