一种阵列基板及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910260551.4
IPC分类号：H01L27/12;H01L21/77
申请日期：
2019-04-02
申请人：
深圳市华星光电技术有限公司

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著录项信息

专利名称	一种阵列基板及其制备方法
申请号	CN201910260551.4	申请日期	2019-04-02
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-23	公开/公告号	CN110047848A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;7查看分类表>
申请人	深圳市华星光电技术有限公司	申请人地址	广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	TCL华星光电技术有限公司	当前权利人	TCL华星光电技术有限公司
发明人	陈杰
代理机构	深圳翼盛智成知识产权事务所（普通合伙）	代理人	黄威

摘要

本发明提供一种阵列基板及其制备方法，该制备方法通过在栅极绝缘层上先形成源漏极层，通过离子掺杂处理，将源漏极层上沟道区域内的金属处理为相对应的金属化合物或是复合物的绝缘材料，从而形成同层设置的源极区域、漏极区域、以及沟道区域；再在源漏极层上形成有源层。不涉及刻蚀工艺，解决了源漏极刻蚀时，有源层被蚀刻液损伤，从而影响阵列基板的电性，甚至产生信赖性的问题。同时，通过氧化处理可以形成更小的沟道，制作更小的阵列基板，从而提高阵列基板的性能。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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