一种具有垂直孔道结构的二维MXene膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910041055.X
IPC分类号：C25D13/02
申请日期：
2019-01-16
申请人：
华南理工大学

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著录项信息

专利名称	一种具有垂直孔道结构的二维MXene膜及其制备方法
申请号	CN201910041055.X	申请日期	2019-01-16
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2019-05-03	公开/公告号	CN109706507A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D13/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D13/00 以工艺为特征的电泳镀覆（C25D 15/00优先；电泳镀覆用的组合物入C09D 5/44）〔2〕 C25D13/02 无机材料〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;1;3;/;0;2查看分类表>
申请人	华南理工大学	申请人地址	广东省广州市天河区五山路381号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南理工大学	当前权利人	华南理工大学
发明人	魏嫣莹;邓俊杰;王海辉;李理波;卢纵
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	陈智英

摘要

本发明属于MXene膜的技术领域，公开了一种具有垂直孔道结构的二维MXene膜及其制备方法。方法：(1)将MAX粉末在盐酸与氟化锂的作用下进行刻蚀，离心，洗涤，干燥，超声分散，获得MXene纳米片溶液；(2)将MXene纳米片溶液进行电泳沉积，取出，进行冷冻处理，干燥，获得具有垂直孔道结构的MXene膜；电泳沉积的条件：电压为1‑36V，时间为10s‑30min；所述冷冻处理的温度为‑196℃～‑100℃。本发明的方法简单，绿色环保，所制备的膜为具有垂直孔道结构，能够加快分子的穿膜速率；本发明的膜在储能、催化、光电材料、生物药物、电磁屏蔽、吸波材料等领域具有广泛的应用前景。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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