半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210330511.0
IPC分类号：H01L29/40;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335
申请日期：
2012-09-07
申请人：
瑞萨电子株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN201210330511.0	申请日期	2012-09-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-03-27	公开/公告号	CN103000673A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/40 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其电极特征区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;4;0;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5查看分类表>
申请人	瑞萨电子株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	田中圣康
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	李兰;孙志湧

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。一种提供紧凑性以及增大的漏极耐压的半导体器件。该半导体器件包括：栅电极；源电极，其与栅电极隔开；漏电极，在平面图中，其相对于栅电极与源电极相对地定位，并且与栅电极隔开；至少一个场板电极，在平面图中，其位于栅电极和漏电极之间，通过绝缘膜设置在半导体衬底上方，并且与栅电极、源电极和漏电极隔开；以及至少一个场板接触，其设置在绝缘膜中，将场板电极耦合到半导体衬底。在平面图中，场板电极从场板接触至少向着源电极或向着漏电极延伸。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供