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一种低温漂带隙基准电压电路、方法及其芯片

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811295320.9
  • IPC分类号:G05F1/567
  • 申请日期:
    2018-11-01
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称一种低温漂带隙基准电压电路、方法及其芯片
申请号CN201811295320.9申请日期2018-11-01
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2019-02-15公开/公告号CN109343639A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G05F1/567
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IPC结构图谱:
IPC分类号G;0;5;F;1;/;5;6;7查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
重庆市沙坪坝区西永微电园研发楼3期1号楼1单元 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院当前权利人西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
发明人朱光前;张启东;杨银堂
代理机构西安佩腾特知识产权代理事务所(普通合伙)代理人张倩
摘要
本发明提供一种低温漂带隙基准电压电路、方法及其芯片;所述电路包括自偏置模块、带隙基准核心模块、电压生成模块;所述方法包括以下步骤:产生初级基准电压;通过基极电流校正与初级基准电压产生补偿前的基准电压;产生低温漂带隙基准电压。低温漂带隙基准电压电路和方法应用于电源管理芯片中。本发明的优点是:实现了超高精度,超低温度漂移系数的带隙基准电压源电路,可为对基准电压需求较高的电路应用提供高稳定性的基准电压。

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