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用于CMP的经正电性聚电解质处理的阴离子性研磨颗粒

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN03803719.X
  • IPC分类号:C09G1/16
  • 申请日期:
    2003-02-10
  • 申请人:
    卡伯特微电子公司
著录项信息
专利名称用于CMP的经正电性聚电解质处理的阴离子性研磨颗粒
申请号CN03803719.X申请日期2003-02-10
法律状态暂无申报国家暂无
公开/公告日2005-06-22公开/公告号CN1630697
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09G1/16IPC分类号C;0;9;G;1;/;1;6查看分类表>
申请人卡伯特微电子公司申请人地址
美国伊利诺伊州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人CMC材料股份有限公司当前权利人CMC材料股份有限公司
发明人艾萨克·K·彻里安;菲利普·W·卡特;杰弗里·P·张伯伦;凯文·J·莫根伯格;戴维·W·博尔德里奇
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人宋莉;贾静环
摘要
本发明提供化学机械抛光体系及利用该抛光体系抛光基底的方法,其中该体系包括(a)研磨剂,(b)液体载剂,及(c)分子量为约15,000或更高的正电性聚电解质,其中该研磨剂包括与该正电性聚电解质静电结合的颗粒。

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