一种宽光谱偏振光探测器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110898961.9
IPC分类号：H01L31/032;H01L31/113;H01L31/18;G01J3/02;G01J3/28
申请日期：
2021-08-05
申请人：
中国科学院半导体研究所

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著录项信息

专利名称	一种宽光谱偏振光探测器及其制备方法
申请号	CN202110898961.9	申请日期	2021-08-05
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-09	公开/公告号	CN113629158A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/032 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0256 以材料为特征的〔5〕 H01L31/0264 无机材料〔5〕 H01L31/032 除掺杂或其他杂质外，只包含未列入H01L 31/0272至H01L 31/0312各组的化合物〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;1;3;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;G;0;1;J;3;/;0;2;;;G;0;1;J;3;/;2;8查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	魏钟鸣;王鑫刚;杨珏晗;刘岳阳;刘力源;邓惠雄;文宏玉;王开友
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

本发明提供一种宽光谱偏振光探测器及其制备方法，宽光谱偏振光探测器包括基底层以及偏振层；基底层具有一成型面；偏振层设于所述成型面上，包括由左至右依次设置的源电极、有源层以及漏电极；其中，有源层为N型二维层状半导体材料磷硫化钯。在本发明提供的技术方案中，有源层为N型二维层状半导体材料磷硫化钯，结构具有各向异性，有利于敏感的偏振光探测；作为N型半导体，其费米能级靠近导带，提高了包括电子从价带到导带的宽能带以及导带内近邻能带的跃迁频率，实现了电子的多通道跃迁，拓宽了光电探测器的光谱探测范围，从日盲区到近红外区。

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