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萧基晶体管装置的制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110458411.1
IPC分类号：H01L21/331
申请日期：
2011-12-27
申请人：
茂达电子股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	萧基晶体管装置的制作方法
申请号	CN201110458411.1	申请日期	2011-12-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2013-05-29	公开/公告号	CN103123897A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/331 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/328 制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺〔5〕 H01L21/33 包括3个或更多电极的器件〔5〕 H01L21/331 晶体管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人	茂达电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	茂达电子股份有限公司	当前权利人	茂达电子股份有限公司
发明人	林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;张家豪;陈家伟
代理机构	深圳新创友知识产权代理有限公司	代理人	江耀纯

摘要

本发明公开了萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于包括提供一基底，具有一第一导电型；在基底上成长一外延层，其中外延层具有第一导电型；在外延层上形成一图案化介电层；在外延层的表面形成一金属硅化物层；在金属硅化物层上形成一掺质来源层，其中掺质来源层具有第二导电型的掺质；进行一热驱入工艺，使掺质来源层内第二导电型的掺质扩散进入外延层；及在金属硅化物层上形成一导电层。

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