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一种太阳能电池吸收层材料的制备方法及应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010435398.7
  • IPC分类号:C01G55/00;C03C17/34;H01L31/032;H01L31/072;H01L31/18
  • 申请日期:
    2020-05-21
  • 申请人:
    中国计量大学
著录项信息
专利名称一种太阳能电池吸收层材料的制备方法及应用
申请号CN202010435398.7申请日期2020-05-21
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-09-18公开/公告号CN111675252A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G55/00IPC分类号C;0;1;G;5;5;/;0;0;;;C;0;3;C;1;7;/;3;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人中国计量大学申请人地址
浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国计量大学当前权利人中国计量大学
发明人王乐;王子延;梁培;邾强强;张宏;曹丽;常鹏
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人陈升华
摘要
本发明公开了一种太阳能电池吸收层材料的制备方法及在制备高吸收系数的钙钛矿太阳能电池中应用。制备方法是将CsCl加入二甲亚砜中,等其完全溶解之后加入异丙醇,将沉淀过滤,真空干燥得到处理过的CsCl;按照Cs2PdCl6对应元素的摩尔比,将PdCl2和处理过的CsCl配置成前驱体溶液;通过Cs2PdCl6空位缺陷的调控得到含Cl空位缺陷较少的产物,将上述溶液旋涂于电子传输层上,在120‑200℃退火2‑5min,即可合成得到吸收系数高达10×105的Cs2PdCl6材料制作的太阳能电池吸收层。

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