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吡咯与3,4-乙烯二氧噻吩共聚纳米线阵列及制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201611252242.5
  • IPC分类号:H01G11/48;H01G11/86;C08G61/12;B82Y30/00;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2016-12-30
  • 申请人:
    吉林大学
著录项信息
专利名称吡咯与3,4-乙烯二氧噻吩共聚纳米线阵列及制备方法
申请号CN201611252242.5申请日期2016-12-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-05-10公开/公告号CN106653394A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01G11/48IPC分类号H;0;1;G;1;1;/;4;8;;;H;0;1;G;1;1;/;8;6;;;C;0;8;G;6;1;/;1;2;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人吉林大学申请人地址
吉林省长春市前进大街2699号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人吉林大学当前权利人吉林大学
发明人钱明;王敏;程梁
代理机构吉林长春新纪元专利代理有限责任公司代理人陈宏伟
摘要
本发明提供一种吡咯与3,4‑乙烯二氧噻吩共聚纳米线阵列,本发明同时还公开了其制备方法,涉及高分子共聚,纳米阵列,导电高分子材料,高分子电容器等多个技术领域。本发明制备得到的PPE纳米线阵列最高电流密度、放电时间、比电容、电容保持率,明显大于吡咯以及3,4‑乙烯二氧噻吩均聚物的电流密度。聚3,4‑乙烯二氧噻吩和聚吡咯的区别很多,聚3,4‑乙烯二氧噻吩电学性能远远弱于聚吡咯,同时其聚3,4‑乙烯二氧噻吩的尺寸较大,在聚合时2个环状基团会垂直于纳米线阵列分布在其周围。

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