光传播时间像素及具有对应的像素的光传播时间传感器

发明专利有效专利

申请号：
CN201980058868.8
IPC分类号：G01S7/481;G01S7/486
申请日期：
2019-08-30
申请人：
PMD技术股份公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	光传播时间像素及具有对应的像素的光传播时间传感器
申请号	CN201980058868.8	申请日期	2019-08-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-16	公开/公告号	CN112673275A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01S7/481 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01S 无线电定向；无线电导航；采用无线电波测距或测速；采用无线电波的反射或再辐射的定位或存在检测；采用其他波的类似装置 G01S7/00 与G01S 13/00，G01S 15/00，G01S 17/00各组相关的系统的零部件 G01S7/48 与G01S 17/00组相应的系统的 G01S7/481 结构特征，例如光学元件的布置〔6〕	IPC分类号	G;0;1;S;7;/;4;8;1;;;G;0;1;S;7;/;4;8;6查看分类表>
申请人	PMD技术股份公司	申请人地址	德国锡根变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	PMD技术股份公司	当前权利人	PMD技术股份公司
发明人	马蒂亚斯·弗兰克;罗伯特·勒斯勒尔
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	易皎鹤

摘要

本发明涉及一种光传播时间像素，包括布置在光敏半导体区(100)的上表面上的调制栅极(ModA、Mod0、ModB)和集成节点(Ga、Gb)。光敏半导体区(100)被设计为N外延并且由p掺杂的垂直p结构(105)横向地和/或在角处界定。具有p掺杂的掩埋层(102)邻接光敏半导体区(100)的下表面，并且垂直结构(105)与掩埋层(102)电接触。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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