Mg2Si1-xSnx多晶体的制造装置和制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201180014203.0
IPC分类号：C01B33/06;C22C1/02;C22C13/00;C22C23/00;H01L35/14;H01L35/20;H01L35/34
申请日期：
2011-03-16
申请人：
国立大学法人茨城大学;昭和KDE株式会社

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著录项信息

专利名称	Mg2Si1-xSnx多晶体的制造装置和制造方法
申请号	CN201180014203.0	申请日期	2011-03-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-05	公开/公告号	CN102811949A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/06 金属的硅化物	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;6;;;C;2;2;C;1;/;0;2;;;C;2;2;C;1;3;/;0;0;;;C;2;2;C;2;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;5;/;1;4;;;H;0;1;L;3;5;/;2;0;;;H;0;1;L;3;5;/;3;4查看分类表>
申请人	国立大学法人茨城大学;昭和KDE株式会社	申请人地址	日本茨城县水户市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国立大学法人茨城大学,昭和KDE株式会社	当前权利人	国立大学法人茨城大学,昭和KDE株式会社
发明人	鹈殿治彦;水户洋彦
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	庞立志;孟慧岚

摘要

提供廉价的Mg2Si1-xSnx多晶体的制造装置及其制造方法，所述多晶体可根据需要进行掺杂而作为可期待高性能指数的热电转换材料等进行有效利用。可通过Mg2Si1-xSnx多晶体的制造装置1来解决技术问题，该装置1的特征在于，至少具备：反应容器3，用于将Mg粒子与Si粒子或Mg粒子与Sn粒子的混合物、或者Mg？Si合金粒子或Mg？Sn合金粒子作为主要原料2进行填充并使之反应以合成下式（1）所示的Mg2Si1-xSnx多晶体12；无机纤维层6，其是固定并设置在填充于反应容器3中的原料2的上方的具有通气性的无机纤维层6，其中，可通过在合成前述多晶体12期间气化的Mg与氧发生化学反应生成的生成物7而丧失前述无机纤维层6的通气性；加热装置8，加热前述反应容器3；和控制装置9，控制前述反应容器3的加热温度和加热时间。Mg2Si1-xSnx？？？式（1）［式（1）中的x为0～1］。

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