一种紫外LED封装器件

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201720526703.7
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/54;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/64
申请日期：
2017-05-12
申请人：
广东工业大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种紫外LED封装器件
申请号	CN201720526703.7	申请日期	2017-05-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;5;4;;;H;0;1;L;3;3;/;5;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;0;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4查看分类表>
申请人	广东工业大学	申请人地址	广东省广州市越秀区东风东路729号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东工业大学	当前权利人	广东工业大学
发明人	何苗;黄波;熊德平;杨思攀;周海亮
代理机构	广东广信君达律师事务所	代理人	杨晓松

摘要

本实用新型公开了一种紫外LED封装器件。所述紫外LED封装器件包括氧化铝陶瓷基板、紫外LED芯片、铜镀层、CuAlO2过渡层、硅树脂固层和石英玻璃；所述紫外LED芯片包括正电极和负电极，该芯片固定在氧化铝陶瓷基板的封装槽内，在所述氧化铝陶瓷基板的表面上镀覆铜镀层，所述铜镀层和氧化铝陶瓷基板之间有CuAlO2过渡层，所述铜镀层和CuAlO2过渡层为不连续的导电层，在紫外LED芯片的正电极和负电极之间设置绝缘区，该绝缘区贯穿整个氧化铝陶瓷基板表面，将铜镀层分隔为绝缘的两部分。该紫外LED封装器件具有三层封装结构，可提高紫外LED芯片的光提取率和散热能力，从而提高器件的性能可靠性和使用寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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