光伏电池以及半导体元件的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110022187.1
IPC分类号：H01L31/18;G03F7/00
申请日期：
2011-01-18
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	光伏电池以及半导体元件的制作方法
申请号	CN201110022187.1	申请日期	2011-01-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-01-11	公开/公告号	CN102315316A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;G;0;3;F;7;/;0;0查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	涂志强;陈俊郎
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	张浴月;刘文意

摘要

本发明提供一种光伏电池以及半导体元件的制作方法，该光伏电池的制作方法包括：提供一半导体基板，该半导体基板具有一第一表面与一第二表面，该第二表面相对于该第一表面；在该半导体基板中形成一邻近该第一表面的第一掺杂区；进行一纳米压印工艺与一蚀刻工艺以于该半导体基板中形成一沟槽，该沟槽自该第一表面延伸入该半导体基板中；于该半导体基板中形成一位于该沟槽中的第二掺杂区，该第二掺杂区的掺杂浓度大于该第一掺杂区的掺杂浓度；以及以一导电材料填满该沟槽。本发明可高效率且符合成本效益地量产光伏电池。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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