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薄膜晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200680033915.6
  • IPC分类号:H01L29/786;H01L21/336
  • 申请日期:
    2006-06-01
  • 申请人:
    夏普株式会社
著录项信息
专利名称薄膜晶体管
申请号CN200680033915.6申请日期2006-06-01
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2008-09-10公开/公告号CN101263604
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人夏普株式会社申请人地址
日本大阪府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人夏普株式会社当前权利人夏普株式会社
发明人松木园广志;宫本忠芳
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人龙淳
摘要
本发明提供一种能够进行低阈值动作并且具有高晶体管耐压的薄膜晶体管及其制造方法、以及使用该薄膜晶体管而得到的半导体装置、有源矩阵基板和显示装置。本发明的薄膜晶体管,通过在基板上依次叠层半导体层、栅极绝缘膜和栅电极而成,上述半导体层的截面具有顺圆锥形状,上述半导体层的上方和侧方被栅极绝缘膜覆盖,上述栅极绝缘膜具有在半导体层侧设置有氧化硅膜、在栅电极侧设置有由介电常数比氧化硅高的材料构成的膜的叠层结构,并且,当设上述半导体层的上方的膜厚为A、设上述半导体层的侧方的膜厚为B时,满足0.5≤B/A。

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