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一种多晶硅还原炉及生产线

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110527952.9
  • IPC分类号:C01B33/035
  • 申请日期:
    2021-05-14
  • 申请人:
    亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
著录项信息
专利名称一种多晶硅还原炉及生产线
申请号CN202110527952.9申请日期2021-05-14
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-07-27公开/公告号CN113173583A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B33/035IPC分类号C;0;1;B;3;3;/;0;3;5查看分类表>
申请人亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司申请人地址
青海省西宁市经济技术开发区金硅路1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人亚洲硅业(青海)股份有限公司,青海亚洲硅业半导体有限公司,青海省亚硅硅材料工程技术有限公司当前权利人亚洲硅业(青海)股份有限公司,青海亚洲硅业半导体有限公司,青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
发明人吉红平;李宇辰;王琳;施光明;何乃栋;杨月龙;陈宏博;郭光伟
代理机构北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人暂无
摘要
本发明提供了一种多晶硅还原炉及生产线,属于多晶硅生产设备领域。上述还原炉包括底盘、罩体、尾气管和输气管组件,罩体罩设在底盘上形成反应腔,尾气管与反应腔连通。输气管组件包括第一输气管;第一输气管竖直设置在反应腔中,包括第一外壳;第一外壳的底部与底盘连接。第一输气管上设置有多个第一喷气管,多个第一喷气管与第一外壳连接,并分布于第一外壳的上部和下部。使进料混合气均匀喷到硅芯上,有效改善硅棒上下粗细不均及致密度不同问题,使得硅棒上下直径及致密度一致,产品质量得到有效提升;同时有效提升硅棒下端沉积速率,提升了单晶比例和单炉产量。

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