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微波充电的超表面天线制备方法及装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711276774.7
  • IPC分类号:H01Q1/36;H01Q1/38;H02J50/27
  • 申请日期:
    2017-12-06
  • 申请人:
    江西沃格光电股份有限公司
著录项信息
专利名称微波充电的超表面天线制备方法及装置
申请号CN201711276774.7申请日期2017-12-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-05-18公开/公告号CN108054498A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01Q1/36IPC分类号H;0;1;Q;1;/;3;6;;;H;0;1;Q;1;/;3;8;;;H;0;2;J;5;0;/;2;7查看分类表>
申请人江西沃格光电股份有限公司申请人地址
江西省新余市高新技术产业开发区西城大道沃格工业园 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江西沃格光电股份有限公司当前权利人江西沃格光电股份有限公司
发明人张迅;张伯伦;周慧蓉;易伟华
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人刘雯
摘要
本发明涉及一种微波充电的超表面天线制备方法,固定掩模板,所述掩模板上的各通孔之间的角度与所需求的相位效果对应;将清洗干净的介质基板固定至一个平面被所述掩模板覆盖的位置;对所述介质基板的被所述掩模板覆盖的平面进行镀膜,使所述介质基板上镀制出石墨烯纳米天线层;镀制完成后,将镀制有石墨烯纳米天线层的介质基板取出。由于超表面天线上镀制出的石墨烯的纳米天线层,对应的是掩模板上的各个通孔,掩模板上的各个通孔是根据相位需要进行设计的,从而解决了微波无线充电的超表面,容易氧化、对电磁波的吸收降低的问题。

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