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一种两相低温共烧温度稳定型电介质陶瓷材料的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310252541.9
  • IPC分类号:C04B35/468;C04B35/622
  • 申请日期:
    2013-06-24
  • 申请人:
    湖北大学
著录项信息
专利名称一种两相低温共烧温度稳定型电介质陶瓷材料的制备方法
申请号CN201310252541.9申请日期2013-06-24
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2013-10-09公开/公告号CN103342556A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/468IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;6;8;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人湖北大学申请人地址
湖北省武汉市武昌区友谊大道368号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湖北大学当前权利人湖北大学
发明人曹万强;陈威;刘培朝;舒明飞;尚玉黎
代理机构武汉河山金堂专利事务所代理人丁齐旭
摘要
本发明公开了一种两相共存低温共烧温度稳定型电介质陶瓷材料的制备方法,步骤为:(1)采用高温煅烧BaCO3和TiO2合成BaTiO3,温度为1250℃,接近BaTiO3陶瓷的烧结温度;(2)在800℃煅烧Na2CO3、Bi2O3、TiO2合成Na0.5Bi0.5TiO3;(3)按照重量百分比将(1-x)BaTiO3+xNa0.5Bi0.5TiO3均匀混合,其中0.05<x<0.2,作为基底材料;(4)混合过程中加入相对于基底材料重量比为ywt%的Y2O3,其中0.1<y<0.5;(5)将粉料洗出、烘干、模压成型,在1100~1150℃烧结温度得到两相低温共烧陶瓷样片。本发明采用分步固相法制备BT-BNT混合型两相共存电介质材料,有别于BNT-BT复合材料。兼具BT在低于120℃和BNT在高于120℃的低损耗和高介电常数特性。本发明不用添加任何助烧剂即可实现多相介质共存共烧,也可与金属内电极同时共烧,实现了一种新的温度稳定型陶瓷的制备方法,具有较大的应用价值。

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