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一种DFN060384排双芯引线框架

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201520248697.4
  • IPC分类号:H01L23/495
  • 申请日期:
    2015-04-23
  • 申请人:
    成都先进功率半导体股份有限公司
著录项信息
专利名称一种DFN060384排双芯引线框架
申请号CN201520248697.4申请日期2015-04-23
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/495IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;4;9;5查看分类表>
申请人成都先进功率半导体股份有限公司申请人地址
四川省成都市高新区西区高新综合保税区B区科新路8-88号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人成都先进功率半导体股份有限公司当前权利人成都先进功率半导体股份有限公司
发明人罗天秀;樊增勇;许兵;任伟;崔金忠
代理机构四川力久律师事务所代理人王芸;熊晓果
摘要
本实用新型涉及一种引线框架,具体涉及一种DFN0603 84排双芯引线框架,包括承装的框架,所述框架长度为250±0.1mm,宽度为70±0.05mm,所述框架从上至下间隔排列有84排晶体管的焊接区域,所述84排焊接区域每排有272个放置晶体管的单个封装单元,所述单个封装单元内设置两个芯片槽,所述每排上的272个单个封装单元位于框架的同一水平线上,所述单个封装单元的长度方向与框架的长度方向平行布置,沿框架的长度方向将框架等分为四个A、B、C、D区域,每个区域之间间隔10mm,靠近边缘的A区和D区距离框架边缘10mm,所述四个区域之间的框架背面上沿框架宽度方向设置间隔凹槽。该引线框架较传统的引线框架结构增大了产品的密度,提高了生产效率,降低了成本,利于焊接。

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