参考电压调节器

发明专利有效专利

申请号：
CN201010208683.1
IPC分类号：G11C7/06
申请日期：
2010-06-18
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	参考电压调节器
申请号	CN201010208683.1	申请日期	2010-06-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-12-29	公开/公告号	CN101930786A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C7/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C7/00 数字存储器信息的写入或读出装置（G11C 5/00优先；用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193）〔2，5〕 G11C7/06 读出放大器；相关的电路（放大器本身入H03F，H03K）〔1，7〕	IPC分类号	G;1;1;C;7;/;0;6查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	穆罕默德·努莫;史奇·罗曼诺夫斯基
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	姜燕;邢雪红

摘要

一种参考电压调节器，用于一eDRAM中，使其以一参考电平进行VSS感测，其中一振荡器用以在存取之间传送取样与校正请求至一控制区块，该控制区块用以传送一脉冲，该脉冲用以定义一脉冲产生器进行取样与校正的时间长度，一参考产生器用以提供该参考电平至一比较器，而该比较器将该参考电平与该参考电压输出的取样值进行比较，该比较器用以决定该参考电压输出是否需要校正，并依照其决定传送一校正请求至一脉冲产生器，该脉冲产生器用以依据该比较器发出的该校正请求产生一校正脉冲至一驱动器，而该驱动器用以调整该校正脉冲期间的参考电压输出。本发明能够在eDRAM中产生准确参考电压电平。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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