一种在铜电极表面形成自组装缓蚀膜的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910050292.9
IPC分类号：C25D9/02;C25D17/10
申请日期：
2009-04-30
申请人：
上海电力学院

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著录项信息

专利名称	一种在铜电极表面形成自组装缓蚀膜的方法
申请号	CN200910050292.9	申请日期	2009-04-30
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-12-30	公开/公告号	CN101613868
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D9/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D9/00 非金属电镀层（C25D 11/00、C25D 15/00优先；电泳覆层入C25D 13/00）〔2〕 C25D9/02 有机材料的〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;9;/;0;2;;;C;2;5;D;1;7;/;1;0查看分类表>
申请人	上海电力学院	申请人地址	上海市杨浦区平凉路2103号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海电力学院	当前权利人	上海电力学院
发明人	廖强强;岳忠文;沈曦;俞镇寅
代理机构	上海申汇专利代理有限公司	代理人	吴宝根

摘要

本发明涉及一种在铜电极表面形成自组装缓蚀膜的方法，属于有色金属的防腐蚀技术。即采用分析纯的吡咯烷二硫代氨基甲酸铵(APDTC)，配制成浓度为0.001～0.01mol/L的APDTC水溶液。将经预处理的铜电极浸渍于上述溶液中，浸渍温度为20～30℃，浸渍时间为0.5～8h，最终在铜电极表面吸附一层吡咯烷二硫代氨基甲酸铵(APDTC)自组装缓蚀膜。交流阻抗测试结果表明，铜电极在0.01mol/L的APDTC水溶液中自组装4～8h后，在0.5mol/LHCl溶液中的缓蚀效率可达95％以上。本发明采用的吡咯烷二硫代氨基甲酸铵是一种环保型缓蚀剂，对环境无危害。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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