反射镜和P电极独立的AlGaInPLED芯片

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202020404096.9
IPC分类号：H01L33/32;H01L33/46;H01L33/38;H01L33/00
申请日期：
2020-03-26
申请人：
南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司

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著录项信息

专利名称	反射镜和P电极独立的AlGaInPLED芯片
申请号	CN202020404096.9	申请日期	2020-03-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/26 发光区的材料〔2010.01〕 H01L33/30 只包括周期体系中的III族和V族的元素〔2010.01〕 H01L33/32 含氮〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;4;6;;;H;0;1;L;3;3;/;3;8;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司	申请人地址	江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南昌大学,南昌硅基半导体科技有限公司	当前权利人	南昌大学,南昌硅基半导体科技有限公司
发明人	吴小明;陈芳;陶喜霞;王光绪;李树强;江风益
代理机构	江西省专利事务所	代理人	张文

摘要

本实用新型公开了反射镜和P电极独立的AlGaInPLED芯片，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P电极金属层、反射金属层、低折射率介质层、P型掺杂层、发光层、具有粗化表面的粗化层、N型掺杂层、N电极，所述反射金属层与所述低折射率介质层构成全方位反射镜，反射金属层与低折射率介质层上设有若干P电极孔，P电极金属层通过P电极孔与P型掺杂层接触；N电极由焊盘和若干扩展电极线组成，P电极孔位于相邻的扩展电极线之间。本实用户新型提出的反射镜和P电极相互独立的AlGaInPLED芯片，可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终可以提高AlGaInPLED芯片的电光转换效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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