基板处理方法和基板处理装置

发明专利有效专利

申请号：
CN200810008939.7
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/02;H01L21/67
申请日期：
2008-01-31
申请人：
东京毅力科创株式会社

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著录项信息

专利名称	基板处理方法和基板处理装置
申请号	CN200810008939.7	申请日期	2008-01-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2008-08-06	公开/公告号	CN101236893
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	东京毅力科创株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东京毅力科创株式会社	当前权利人	东京毅力科创株式会社
发明人	高桥荣治;网仓纪彦
代理机构	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人	龙淳

摘要

本发明提供一种能在高压下控制处理室内的压力且高速排出处理室内气体的基板处理方法，基板处理系统(10)包括：对晶片W实施化学反应处理的第二工艺模块(28)，其具有处理室(33)和对该腔室(33)内气体等进行排气且对腔室(33)内压力进行控制的排气控制系统(37)，在对收容于腔室(33)内的晶片W实施化学反应处理时，通过口径较小的APC阀(55)控制腔室(33)内压力，在对晶片W实施化学反应处理后，开放APC阀(55)并利用干式泵(46)将腔室(33)内的氟化氢气体等从排气管(53)排出，并进一步关闭APC阀(55)并开放隔离阀(51)利用TMP(50)通过排气管(47)排出。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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