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在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜异质结材料的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410068866.2
  • IPC分类号:H01L21/36;H01L29/82;H01L29/12
  • 申请日期:
    2004-07-13
  • 申请人:
    中国科学院物理研究所
著录项信息
专利名称在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜异质结材料的制备方法
申请号CN200410068866.2申请日期2004-07-13
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-01-18公开/公告号CN1722390
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/36IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;8;2;;;H;0;1;L;2;9;/;1;2查看分类表>
申请人中国科学院物理研究所申请人地址
北京市海淀区中关村南三街8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院物理研究所当前权利人中国科学院物理研究所
发明人吕惠宾;何萌;黄延红;相文峰;陈正豪;周岳亮;程波林;金奎娟;杨国桢
代理机构北京泛华伟业知识产权代理有限公司代理人王凤华
摘要
本发明涉及在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜和异质结材料及制备方法,该材料包括在n型硅片上生长一层p型的掺杂锰酸镧La1-xAxMnO3薄膜,形成p-n异质结材料;其中A为:Ca、Sr、Ba、Pb或Sn,所有x的取值范围为0.05~0.5;或在p型硅片上生长一层n型的掺杂锰酸镧La1-xBxMnO3薄膜,形成p-n异质结材料;其中B为:Ce、Pr、Te、Nb、Sb或Ta,所有x的取值范围为0.05~0.5。制备方法采用两步法,将锰酸镧或掺杂的锰酸镧材料直接外延生长在硅衬底上,或把在硅片上生长的锰酸镧或掺杂锰酸镧作为缓冲层,然后再外延生长其它钙钛矿氧化物薄膜,或多层膜。

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