半导体存储器

发明专利无效专利

申请号：
CN200310123704.X
IPC分类号：G11C11/417;H01L27/11
申请日期：
2003-12-16
申请人：
松下电器产业株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体存储器
申请号	CN200310123704.X	申请日期	2003-12-16
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2004-07-28	公开/公告号	CN1516196
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/417 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/41 用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特（Schmitt）触发器〔5〕 G11C11/413 辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的〔5〕 G11C11/417 用于场效应型存储单元的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1查看分类表>
申请人	松下电器产业株式会社	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社索思未来	当前权利人	株式会社索思未来
发明人	金原旭成;奥山博昭
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汪惠民

摘要

一种半导体存储器，经激活用晶体管(MN5A、MN5B)分别将连接到各对位线(BITO、NBITO)、(BIT1、NBIT1)上的同一列的存储单元(1A～1B、1C～1D)的驱动用晶体管(MN3A、MN4A～MN3B、MN4B)、(MN3C、MN4C～MN3D、MN4D)的源极公共地连接到低电压电源(VSS)上。在写入数据时，使连接到选择位线对(例如BITO、NBITO)上的同一列的存储单元(1A～1B)的激活用晶体管(MN5A)为非导通，使该同一列的存储单元(1A～1B)的驱动用晶体管的源极成为浮置状态。从而能良好地保持非选择存储单元的数据，且即使是低电源电压也可只对一个选择存储单元写入数据。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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