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一种高压功率半导体器件的边缘终端结构

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010246809.4
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L27/02
  • 申请日期:
    2010-08-06
  • 申请人:
    浙江大学
著录项信息
专利名称一种高压功率半导体器件的边缘终端结构
申请号CN201010246809.4申请日期2010-08-06
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2011-02-09公开/公告号CN101969068A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人浙江大学申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江大学,广东省粤晶高科股份有限公司当前权利人浙江大学,广东省粤晶高科股份有限公司
发明人胡佳贤;韩雁;张世峰;张斌;揭英亮;陈素鹏
代理机构杭州天勤知识产权代理有限公司代理人胡红娟
摘要
本发明公开了一种高压功率半导体器件的边缘终端结构,包括若干个将功率半导体器件环绕、与衬底具有相反导电类型的场限环,在每个场限环单侧或两侧设有与场限环导电类型相同,掺杂浓度小于场限环的掺杂区域,场限环上覆有场板,场限环与场板之间用二氧化硅层间隔。场板的材料可选自铜、铝、多晶硅或掺氧多晶硅等。由于在传统场限环的周围增加了浓度更低的掺杂区域可有效减小了边缘元胞电场线的密集程度,降低了边缘元胞承受的电场强度,使击穿电压得到提高,有效提高边缘终端结构的面积效率,节省了芯片面积,缩减了芯片成本。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供