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高速光电探测器制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011020411.9
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/105;H01L31/0352;H01L31/0224;G03F7/16
申请日期：
2020-09-25
申请人：
武汉敏芯半导体股份有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	高速光电探测器制备方法
申请号	CN202011020411.9	申请日期	2020-09-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-25	公开/公告号	CN112133790A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;5;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;G;0;3;F;7;/;1;6查看分类表>
申请人	武汉敏芯半导体股份有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港四路18号普天物联网创新研发基地(一期)1栋3层02室03号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉敏芯半导体股份有限公司	当前权利人	武汉敏芯半导体股份有限公司
发明人	余沛;王权兵;徐之韬;王丹;徐帅;张倩;王任凡
代理机构	湖北武汉永嘉专利代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种高速光电探测器制备方法，包括以下步骤制备台面型光电探测器的P‑I‑N高台；在P‑I‑N高台上涂覆两层光刻胶，保障了后续光刻胶作为腐蚀掩蔽层的可靠性，降低了器件的暗电流，增加了光刻显影的工艺窗口，可以很好地控制显影的钻蚀，保证了光敏面的大小，降低耦合难度，而得到高性能的高速InGaAs/InP PIN光电探测器。

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