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一种生长过渡金属二硫化物薄膜的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810261933.4
  • IPC分类号:C23C16/30;C23C16/455
  • 申请日期:
    2018-03-28
  • 申请人:
    北京大学深圳研究生院
著录项信息
专利名称一种生长过渡金属二硫化物薄膜的方法
申请号CN201810261933.4申请日期2018-03-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-08-24公开/公告号CN108441841A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/30IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;3;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;5查看分类表>
申请人北京大学深圳研究生院申请人地址
广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北大园区H栋208室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京大学深圳研究生院当前权利人北京大学深圳研究生院
发明人王新炜;国政
代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)代理人王永文;刘文求
摘要
本发明公开一种生长过渡金属二硫化物薄膜的方法,本发明采用金属脒基化合物作为金属前驱体,H2S等离子体作为硫源,通过ALD工艺合成黄铁矿FeS2,CoS2和NiS2薄膜。本发明所述FeS2,CoS2和NiS2的沉积过程在较宽的沉积温度范围内都遵循理想的逐层ALD的生长行为,能够得到成分非常纯净,表面平滑的黄铁矿结构的过渡金属二硫化物薄膜。进一步地,本发明ALD工艺沉积的FeS2,CoS2和NiS2薄膜可以保形地沉积在深宽比高达10:1的沟槽中,由此体现了这一ALD工艺在复杂高深宽比的3D架构上进行保形薄膜沉积的广泛和有前景的适用性。

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