基于GaAs衬底的氧化镓薄膜及其生长方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510397556.3
IPC分类号：C23C14/02;C23C14/28;C23C14/08;H01L21/20
申请日期：
2015-07-08
申请人：
西安电子科技大学

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著录项信息

专利名称	基于GaAs衬底的氧化镓薄膜及其生长方法
申请号	CN201510397556.3	申请日期	2015-07-08
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-10-07	公开/公告号	CN104962858A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/02 待镀材料的预处理（C23C 14/04优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;2;;;C;2;3;C;1;4;/;2;8;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0查看分类表>
申请人	西安电子科技大学	申请人地址	陕西省西安市太白南路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安电子科技大学	当前权利人	西安电子科技大学
发明人	冯倩;李付国;代波;谢文林;徐通;郝跃
代理机构	陕西电子工业专利中心	代理人	王品华;朱红星

摘要

本发明公开了一种基于GaAs衬底的氧化镓薄膜及其生长方法，主要解决现有氧化镓薄膜的表面形貌差和晶粒尺寸小的问题。该氧化镓薄膜包括GaAs衬底(1)和氧化镓外延层(3)，其特征在于：GaAs衬底(1)与氧化镓外延层(3)之间设有6-12nm的氧化镓缓冲层(2)，并利用热退火提高氧化镓缓冲层的结晶质量。本发明降低了Ga2O3薄膜表面的粗糙度，改善了Ga2O3薄膜的表面形貌，增大了Ga2O3晶粒尺寸，可用于制作半导体功率器件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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