硅单晶的制造装置以及制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811346532.5
IPC分类号：C30B29/06;C30B13/20;C30B13/12
申请日期：
2018-11-13
申请人：
胜高股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	硅单晶的制造装置以及制造方法
申请号	CN201811346532.5	申请日期	2018-11-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-21	公开/公告号	CN109778313A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;1;3;/;2;0;;;C;3;0;B;1;3;/;1;2查看分类表>
申请人	胜高股份有限公司	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	胜高股份有限公司	当前权利人	胜高股份有限公司
发明人	佐川泰之
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	李婷;刘林华

摘要

本发明涉及的硅单晶的制造装置（1）具备：感应加热线圈（41），其具有使加热硅原料材料（SL）而获得的熔融带区域（M）凝固而进行硅单晶（SM）的生长的功能，形成为圆环状的、下表面的外缘位于比该下表面的内缘靠下侧的位置的形状；向熔融带区域（M）吹送掺杂气体的掺杂气体吹送机构（6）；以及向熔融带区域（M）中的比掺杂气体的供给位置靠下方的外周部吹送冷却气体的冷却气体吹送机构（7）。

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