Lamb波谐振器及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110577798.6
IPC分类号：H03H3/02;H03H9/54
申请日期：
2021-05-26
申请人：
南通大学

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著录项信息

专利名称	Lamb波谐振器及其制作方法
申请号	CN202110577798.6	申请日期	2021-05-26
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-24	公开/公告号	CN113300684A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H3/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H3/00 专用于制造阻抗网络、谐振电路、谐振器的设备或方法 H03H3/007 用于制造机电谐振器或网络〔3〕 H03H3/02 用于制造压电或电致伸缩谐振器或网络（H03H 3/08优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;3;H;3;/;0;2;;;H;0;3;H;9;/;5;4查看分类表>
申请人	南通大学	申请人地址	江苏省南通市啬园路9号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南通大学	当前权利人	南通大学
发明人	赵继聪;吕世涛;诸政;阙正宇;宋晨光;孙海燕
代理机构	北京商专永信知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李彬彬

摘要

本发明公开一种Lamb波谐振器及其制作方法，制得的Lamb波谐振器包括自下而上依次设置的第一电极结构、压电振动结构、第二电极结构和掩膜结构；其中，所述第二电极结构为叉指电极，所述压电振动结构的边缘倾角均呈90°，所述掩膜结构为二氧化硅掩膜，所述二氧化硅掩膜同时覆盖叉指电极的外表面和未被叉指电极覆盖的压电振动结构的上表面。本发明实施例的采用二氧化硅作为压电振动结构的掩膜结构的解决方案，使得制备的压电振动结构的边缘倾角能够呈90°角，大幅提高了Lamb波谐振器的品质因数，优化了Lamb波谐振器的性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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