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MEMS扫描振镜的磁场系统

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310479059.9
  • IPC分类号:G02B26/10
  • 申请日期:
    2013-10-14
  • 申请人:
    中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
著录项信息
专利名称MEMS扫描振镜的磁场系统
申请号CN201310479059.9申请日期2013-10-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-04-29公开/公告号CN104570332A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B26/10IPC分类号G;0;2;B;2;6;/;1;0查看分类表>
申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请人地址
江苏省苏州市工业园区独墅湖高校区若水路398号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所当前权利人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明人沈文江;余晖俊
代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人王锋
摘要
本申请公开了一种MEMS扫描振镜的磁场系统,包括MEMS扫描振镜芯片和至少两个磁体组,所述的每个磁体组包括分别位于所述MEMS扫描振镜芯片上下两侧的上磁体和下磁体,所述的上磁体和下磁体的相对面磁极同性,且位于MEMS扫描振镜芯片上侧的至少两个上磁体的磁极方向相反。本系统优化了永磁体与振镜的相对位置,可以使MEMS扫描振镜的驱动平面上的磁感应强度达到最大。

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