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在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310073121.4
  • IPC分类号:H01L21/84
  • 申请日期:
    2009-09-08
  • 申请人:
    乐仕特拉公司
著录项信息
专利名称在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件
申请号CN201310073121.4申请日期2009-09-08
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2013-07-24公开/公告号CN103219292A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/84
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;4查看分类表>
申请人乐仕特拉公司申请人地址
美国特拉华州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人乐仕特拉公司当前权利人乐仕特拉公司
发明人蒂埃里·潘盖;斯特芬·格勒克纳;彼得·德多伯拉尔;谢里夫·阿布达拉;丹尼尔·库哈尔斯基;吉安洛伦佐·马西尼;横山公成;约翰·古肯伯格;阿蒂拉·梅基什
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人王田
摘要
本发明揭示在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件,且所述单片集成可包含以不同的硅层厚度在单一CMOS晶片上制造光子和电子装置。可利用块体CMOS工艺在绝缘体上半导体(SOI)晶片上且/或利用SOICMOS工艺在SOI晶片上制造所述装置。可利用双重SOI工艺和/或选择性区域生长工艺来制造所述不同的厚度。可在CMOS晶片上利用一次或一次以上氧植入和/或利用CMOS晶片上的CMOS沟槽氧化物来制造覆层。可利用外延横向过生长在所述CMOS沟槽氧化物上沉积硅。可利用选择性背面蚀刻来制造覆层。可通过在选择性蚀刻的区上沉积金属来制造反射表面。可将集成于所述CMOS晶片中的二氧化硅或硅锗用作蚀刻终止层。

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