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一种硅基光栅化源极太赫兹探测器

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201811094805.1
  • IPC分类号:H01L31/0232H01L31/119
  • 申请日期:
    2018-09-19
  • 申请人:
    天津大学
著录项信息
专利名称一种硅基光栅化源极太赫兹探测器
申请号CN201811094805.1申请日期2018-09-19
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2019-03-08公开/公告号CN109449222A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0232IPC分类号H01L31/0232;H01L31/119查看分类表>
申请人天津大学申请人地址
天津市南开区卫津路*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津大学当前权利人天津大学
发明人马建国;刘亚轩;傅海鹏
代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所代理人杜文茹
摘要
一种硅基光栅化源极太赫兹探测器,包括有MOS管,所述MOS管包括有由下至上依次设置的衬底层、沟道层和绝缘层,所述的衬底层一端的上端面设置有嵌入在所述沟道层和绝缘层内的漏极,所述的绝缘层上与所述漏极相邻的设置有栅极,所述栅极远离漏极的一侧设置有等间隔排布的光栅结构的源极,所述光栅结构的源极中的每一条源极均嵌入在所述沟道层和绝缘层内,且底端与所述衬底层相连接。本发明能够有效的将空间中的太赫兹信号耦合至晶体管源极,并在晶体管中产生太赫兹频段的交流电信号,利用晶体管的检波特性将太赫兹信号转化为直流电信号并通过漏极进行输出,从而实现太赫兹信号探测。本发明能够提高耦合效率、降低损耗。

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