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全无机氧化物高效量子点太阳电池及其制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110388242.9
  • IPC分类号:H01L31/0328;H01L31/0352;H01L31/18
  • 申请日期:
    2011-11-30
  • 申请人:
    吉林大学
著录项信息
专利名称全无机氧化物高效量子点太阳电池及其制作方法
申请号CN201110388242.9申请日期2011-11-30
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2012-05-02公开/公告号CN102437210A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0328
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人吉林大学申请人地址
吉林省长春市前进大街2699号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人吉林大学当前权利人吉林大学
发明人张宇;张佳全;于伟泳;王一丁;张铁强;林晓珑;冯毅
代理机构长春吉大专利代理有限责任公司代理人朱世林;王寿珍
摘要
本发明涉及一种新型全无机氧化物结构量子点太阳电池及其制作方法。该电池由PbSe/CdSe核壳量子点薄膜、NiO薄膜和ZnO纳米薄膜以及阳极和阴极组成,NiO薄膜作为空穴的收集层;ZnO纳米薄膜作为电子的收集层;PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与ZnO纳米薄膜界面构成异质结,形成的电势差有助于光生电子从PbSe/CdSe核壳量子点薄膜迁移进入氧化物电子收集层,PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与NiO薄膜界面构成异质结;阳极为ITO电极;阴极为Ag电极。其制作方法包括以下步骤:1、NiO薄膜的制备;2、PbSe/CdSe核壳量子点的合成与薄膜制备;3、ZnO纳米薄膜的制备;4、蒸镀电极。

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