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一种晶圆等离子切割保护液及其制备方法与用途

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110704136.0
  • IPC分类号:C09D133/00;C09D171/02;C09D7/65;C09D7/20;H01L21/683;H01L21/78
  • 申请日期:
    2021-06-24
  • 申请人:
    浙江奥首材料科技有限公司
著录项信息
专利名称一种晶圆等离子切割保护液及其制备方法与用途
申请号CN202110704136.0申请日期2021-06-24
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-16公开/公告号CN113652128A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09D133/00IPC分类号C;0;9;D;1;3;3;/;0;0;;;C;0;9;D;1;7;1;/;0;2;;;C;0;9;D;7;/;6;5;;;C;0;9;D;7;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;H;0;1;L;2;1;/;7;8查看分类表>
申请人浙江奥首材料科技有限公司申请人地址
浙江省衢州市杜鹃路36号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江奥首材料科技有限公司当前权利人浙江奥首材料科技有限公司
发明人侯军;贺剑锋
代理机构大连大工智讯专利代理事务所(特殊普通合伙)代理人崔雪
摘要
本发明提供一种晶圆等离子切割保护液及其制备方法与用途。本发明晶圆等离子切割保护液包括重量配比如下的各组分:水溶性树脂5‑40份;润湿剂0.1‑2份;消泡剂0.1‑2份;自由基捕捉剂0.1‑2份;有机溶剂5‑20份;水34‑89.7份。本发明晶圆等离子切割保护液能够在晶圆表面快速成膜,具有良好的耐热性和可移除性。在晶圆加工时采用本发明保护液,能够有效避免冷凝后的硅蒸气或其他在加工过程中产生的碎屑沉积在芯片表面;同时本发明晶圆等离子切割保护液具有较高的热稳定性,能够避免由于激光切割的热效应或在较高工作温度下进行等离子切割时,保护膜分解导致晶圆表面直接暴露在外部环境下,有效提高产品的可靠性和良率。

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