单晶硅及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410329579.6
IPC分类号：C30B15/20;C30B30/04;C30B29/06
申请日期：
2014-07-11
申请人：
环球晶圆日本股份有限公司

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著录项信息

专利名称	单晶硅及其制造方法
申请号	CN201410329579.6	申请日期	2014-07-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-01-14	公开/公告号	CN104278321A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/20 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/20 控制或调节（一般的控制或调节入G05）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;2;0;;;C;3;0;B;3;0;/;0;4;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	环球晶圆日本股份有限公司	申请人地址	日本新泻县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	环球晶圆日本股份有限公司	当前权利人	环球晶圆日本股份有限公司
发明人	永井勇太;中川聪子;鹿岛一日儿
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	庞立志;孟慧岚

摘要

本发明涉及通过CZ法提供能够适用于面向高电压的IGBT用硅基板的低碳浓度的单晶硅及其制造方法。以碳浓度1.0×1015atoms/cm3以下的多晶硅为原料，对原料熔液2施加横向磁场，并使石英坩埚3的转速为5.0rpm以下，在从原料熔液表面起直至下述Y的20～50%的位置处以下述式（1）所示的流速A［m/sec］通入惰性气体，Q惰性气体的流量［L/min］P炉内压力［托］X防辐射罩的开口部直径［mm］Y从原料熔液表面起直至防辐射罩下端的距离［mm］α校正系数直至结晶固化率30%的时刻，使流速A为0.2～5000/d［m/sec］（d结晶直体部直径［mm］），并且使侧部加热器4和底部加热器5的合计动力的降低率为3～30%、侧部加热器4的动力的降低率为5～45%。

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