首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

半导体封装结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200810003933.0
IPC分类号：H01L23/485;H01L21/60
申请日期：
2008-01-18
申请人：
南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体封装结构及其制造方法
申请号	CN200810003933.0	申请日期	2008-01-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-07-22	公开/公告号	CN101488482
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/485 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/482 由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的〔5〕 H01L23/485 包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;5;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南茂科技股份有限公司,百慕达南茂科技股份有限公司	当前权利人	南茂科技股份有限公司,百慕达南茂科技股份有限公司
发明人	黄祥铭;刘安鸿;李宜璋;蔡豪殷;何淑静
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	陈亮

摘要

本发明一种半导体封装结构及其制造方法，该半导体封装结构包含一芯片、一导电部及一缓冲层。该半导体封装结构利用该导电部与一电路板电性连接，而该缓冲层至少局部包覆于该导电部，并填充于修复过程所产生的激光窗中。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供