一种制备腔室及CVD沉积石墨烯的规模化制备设备

发明专利有效专利

申请号：
CN202110120075.3
IPC分类号：C30B25/08;C30B25/10;C30B25/14;C30B25/16;C30B28/14;C30B29/02
申请日期：
2021-01-28
申请人：
孙华

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种制备腔室及CVD沉积石墨烯的规模化制备设备
申请号	CN202110120075.3	申请日期	2021-01-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-11	公开/公告号	CN112779598A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/08 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕 C30B25/02 外延层生长〔3〕 C30B25/08 反应室；其所用材料的选择〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;0;8;;;C;3;0;B;2;5;/;1;0;;;C;3;0;B;2;5;/;1;4;;;C;3;0;B;2;5;/;1;6;;;C;3;0;B;2;8;/;1;4;;;C;3;0;B;2;9;/;0;2查看分类表>
申请人	孙华	申请人地址	上海市奉贤区肖塘路255弄10号1层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	孙华	当前权利人	孙华
发明人	孙华
代理机构	北京八月瓜知识产权代理有限公司	代理人	白鹤

摘要

本发明涉及石墨烯制取设备技术领域，尤其是涉及一种制备腔室及CVD沉积石墨烯的规模化制备设备。制备腔室为密闭腔室，所述制备腔室包括主腔室和副腔室，所述主腔室的出口端和副腔室的进口端连通，所述制备腔室的部分底面向下凹陷形成液体气密池，且主腔室出口端和副腔室的进口端均位于液体气密池的液位以下；所述副腔室的出口端设置有弹性气密组件。通过去液体气密池够对制备腔室形成第一道密封，通过弹性气密组件能够对制备腔室形成第二道密封。通过弹性气密组件进行二次密封的作用，防止在制备腔室抽真空时，因去离子水和刻蚀液的液位发生变化导致的第一道密封失效。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供