采样NMOS管及其生成方法、电压自举采样开关和模数转换器

发明专利有效专利

申请号：
CN201510574075.5
IPC分类号：H03M1/12
申请日期：
2015-09-10
申请人：
中国电子科技集团公司第二十四研究所

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专利名称	采样NMOS管及其生成方法、电压自举采样开关和模数转换器
申请号	CN201510574075.5	申请日期	2015-09-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-11-11	公开/公告号	CN105049048A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03M1/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03M 一般编码、译码或代码转换（用射流方法入F15C 4/00；光学模/数转换器入G02F 7/00；专用于特殊应用的编码、译码或代码转换见有关小类，例如G01D，G01R，G06F，G06T，G09G，G10L，G11B，G11C，H04B，H04L，H04M，H04N；专用于密码技术或涉及需要保密的其他目的的编码或译码入G09C）〔4〕 H03M1/00 模/数转换；数/模转换（模拟值转换到差分调制或相反转换入H03M 3/00）〔4〕 H03M1/12 模/数转换器（H03M 1/02至H03M 1/10优先）〔4〕	IPC分类号	H;0;3;M;1;/;1;2查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第二十四研究所	申请人地址	重庆市南岸区南坪花园路14号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第二十四研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第二十四研究所
发明人	徐代果;胡刚毅;李儒章;王健安;陈光炳;王育新;付东兵;邓民明
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	尹丽云

摘要

本发明提供一种采样NMOS管及其生成方法、电压自举采样开关和模数转换器，应用于模数转换器领域，本发明在采样NMOS管的源极和电源之间加入一个二极管D1，在采样NMOS管的漏极和电源之间加入一个二极管D2，当输入电压增加时，由于输入电压通常不会大于电源电压，二极管D1/D2处于反偏，他们的寄生电容会随着输入电压的增加而增加，同时，由于输入电压通常不会小于0，NMOS管的源/漏极和地之间的寄生二极管DP1/DP2也处于反偏，他们的寄生电容会随着输入电压的增加而减小，故二极管D1/D2的寄生电容随输入电压的变化就补偿了寄生二极管DP1/DP2的寄生电容随输入电压的变化，使得采样电容不会随着输入电压的变化而变化，极大的提高了采样开关的线性度，以及整个电路的线性度。

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